LITHOGRAFIE MET ULTRAVIOLET LICHT HAALT DETAILS VAN 39 NM

Het Lawrence Berkeley National Lab (LBNL) in Californië is er in geslaagd met behulp van ultraviolet-lithografie op een microchip draadjes naast elkaar te leggen met een dikte van slechts 39 nanometer (Journal of Vacuum Science Technology B, nov/dec 2002). De grens die nu in massaproductie gehaald wordt bedraagt 65 nanometer.

Om met lithografie kleinere structuren op een chip van silicium of metaal te maken zijn kortere golflengtes nodig, wat neerkomt op dieper doordringen in het ultraviolet. Een consortium van overheidslaboratoria (LBNL, Livermore en Sandia) en industriële reseachlabs (Intel, AMD, IBM, Infineon, Micron en Motorola) probeert de nieuwe lithografie uit met de Advanced Light Source van LBNL. Deze produceert een breed spectrum aan ultraviolette licht doordat elektronen in een ring rondlopen en daarbij energie afstaan in de vorm van straling.

Op het moment dat met de nieuwe techniek bij de massafabricage van chips zal worden ingezet, waarschijnlijk in 2007, zal de afmeting van de dunste draadjes zijn gezakt tot 25 nanometer. Aldus kan de wet van Moore, die zegt dat iedere anderhalf à twee jaar het aantal componenten per oppervlakte-eenheid op een chip verdubbelt, voorlopig nog even mee.